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RFN10BGE3STL

Name: ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10BGE3STL
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RFN10BGE3STL

Herst.- Nr.:

RFN10BGE3STL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Gleichrichter RECT 350V 10A SM SUPER FST

Datenblatt:

RFN10BGE3STL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,15	€ 1,15
	€ 0,739	€ 7,39
	€ 0,622	€ 62,20
	€ 0,49	€ 245,00
	€ 0,448	€ 448,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,414	€ 1.035,00
	€ 0,413	€ 2.065,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Gleichrichter
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252GE-3
Vr - Sperrspannung:	350 V
If - Durchlassstrom:	10 A
Typ:	Super Fast Recovery Diode
Konfiguration:	Single
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Max. Spitzenstrom:	80 A
Ir - Sperrstrom:	10 uA
Rückstellungszeit:	30 ns
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt:	Rectifiers
Produkt-Typ:	Rectifiers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases:	RFN10BGE3S

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RFN10BGE3STL Superschnelle Freilaufdiode

Die RFN10BGE3STL superschnelle Freilaufdiode von ROHM Semiconductor zeichnet sich durch eine planare Silizium-Epitaxie-Bauweise mit hoher Stromüberlastfähigkeit und geringen Schaltverlusten aus. Diese superschnelle Freilaufdiode wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert und bietet eine periodische Spitzensperrspannung von 350 V. Die RFN10BGE3STL-Diode funktioniert bei einem durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von 10 A, einer maximalen Durchlassspannung von 1,5 V, einem maximalen Sperrstrom von 10 μA und einer Sperrschichttemperatur von 150 °C. Diese Diode ist ideal für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung.