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AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 691.65 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-AFV10700GSR5

Herst.- Nr.:

AFV10700GSR5

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Datenblatt:

AFV10700GSR5 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	2.6 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	105 V
Betriebsfrequenz:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Verstärkung:	19.2 dB
Ausgangsleistung:	700 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	NI-780GS-4L
Verpackung:	Reel
Marke:	NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Pd - Verlustleistung:	526 W
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFV10700
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Artikel # Aliases:	935362013178

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PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

AFV10700H HF-LDMOS-Leistungstransistor

Der HF-LDMOS-Leistungstransistor AFV10700H von NXP Semiconductors ist für Impulsanwendungen bei 1030 MHz bis 1090 MHz ausgelegt. Dieser LDMOS-Transistor kann auch über das 960MHz-1215MHz-Band mit verminderter Leistung verwendet werden. Dieses Bauteil eignet sich für den Einsatz in Verteidigungs- und kommerziellen Impulsapplikationen mit großen Arbeitszyklen und langen Impulsen wie IFF, Sekundärradare, ADS-B-Transponder, DME und anderen komplexen Impulsketten.

Der HF-LDMOS-Leistungstransistor AFV10700H von NXP basiert auf der Airfast-Technologie und ist in einem kompakten NI-780H-4L (AFV10700H) oder NI-780S-4L (AFV10700HS) Luftraum-Gehäuse für Design-Flexibilität untergebracht.
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