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SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI3129DV-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI3129DV-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Datenblatt:

SI3129DV-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,903	€ 0,90
	€ 0,567	€ 5,67
	€ 0,371	€ 37,10
	€ 0,286	€ 143,00
	€ 0,259	€ 259,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,22	€ 660,00
	€ 0,204	€ 1 224,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	82.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	4.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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Datenblatt

SI3129DV-T1-GE3 Datenblatt

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV 80-V-(D-S)-p-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix Si3129DV 80-V-(D-S)-p-Kanal-MOSFET ist in einem TSOP-6-Einzelgehäuse untergebracht und vollständig R_g-getestet. Der Si3129DV MOSFET bietet eine Gate-Quellenspannung von ±20 V und einen Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Der Si3129DV 80-V-p-Kanal-MOSFET von Vishay/Siliconix ist für das Leistungsmanagement von tragbaren und Unterhaltungselektronik-Applikationen ausgelegt.