Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN

Der Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen. Nexperia bietet unbedrahtete AEC-Q101-qualifizierte Gehäuse mit seitenbenetzbaren Flanken. Diese Komponenten sparen Platz, reduzieren das Gewicht und halten eine hohe Leistungsfähigkeit und einen hohen Wirkungsgrad auch bei hohen Temperaturen aufrecht. Für platzkritische Applikationen, wie z. B. Mobilgeräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule, empfiehlt Nexperia DFN-Gehäuse.

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Nexperia Bipolartransistoren - BJT PMBT3906M/SOT883/XQFN3
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1006-3 PNP
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1216 45V .1A NPN/NPN BJT
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1010B-6 NPN
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1268 50V .1A NPN/PNP RET
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412-6 NPN, PNP
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1268 50V .1A NPN/NPN RET
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5 000erwartet ab 14.12.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412-6 NPN
Nexperia Digitaltransistoren PDTA124EM/SOT883/XQFN3
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Digital Transistors SMD/SMT DFN-1006-3 PNP
Nexperia Digitaltransistoren SOT8009 50V .1A PNP RET
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Digital Transistors SMD/SMT DFN-1412D-3 PNP
Nexperia Digitaltransistoren PDTC144EMB/SOT883B/XQFN3
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Digital Transistors DFN-1006-3
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC847CM/SOT883/XQFN3
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18 885erwartet ab 14.09.2026
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Rolle: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1006-3 NPN