SIHx17N80AEF-Baureihe Leistungs-MOSFETs

Vishay/Siliconix SIHx17N80AEF-Baureihe Leistungs-MOSFETs bieten eine niedrige Gütezahl und eine niedrige Effektivleistung. Die SIHx17N80AEF MOSFETs verfügen über reduzierte Schalt- und Leitungsverluste. Die Leistungs-MOSFETs der SIHx17N80AEF-Baureihe von Vishay/Siliconix verfügen über eine Drain-Quellenspannung von 850 V und eignen sich hervorragend für Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtungs- und Industrieapplikationen.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 717Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube