GD3160 Erweiterte Gate-Treiber

NXP Semiconductors GD3160 Erweiterte Gate-Treiber sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen für xEV-Traktionswechselrichter, OBC und DC/DC-Wandler ausgelegt. Der GD3160 verfügt über eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare Schnittstelle über SPI und erweiterte programmierbare Schutzoptionen, wie z. B. Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz.

Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Treiber
Anzahl der Ausgänge
Ausgangsstrom
Konfiguration
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
NXP Semiconductors Gate-Treiber EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
Datenblatt
576Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Gate-Treiber EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
Datenblatt
1 052Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate-Treiber EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
Datenblatt
710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
176erwartet ab 27.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Tray
NXP Semiconductors Gate-Treiber EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel