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CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 1075.89 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGHV31500F1

Herst.- Nr.:

CGHV31500F1

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Datenblatt:

CGHV31500F1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:	N
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440226-2
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	500 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 75 C
Pd - Verlustleistung:	418 W
Marke:	MACOM
Maximale Drain-Gate-Spannung:	- 2.7 V
Maximale Betriebsfrequenz:	3.1 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	2.7 GHz
Ausgangsleistung:	500 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT

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Datenblatt

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PCN

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CGHV31500F1 2,7 GHz bis 3,1 GHz, 500 W GaN-HEMT

Der Wolfspeed CGHV31500F1 2,7 GHz bis 3,1 GHz, 500 W GaN-HEMT bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Gain, die speziell für das S-Band-Radarband von 2,7 GHz bis 3,1 GHz ausgelegt sind. Der Galliumnitrid-Transistor (GaN) mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) bietet eine erweiterte Impulsfähigkeit, um den aufkommenden Trends bezüglich Radararchitekturen gerecht zu werden.