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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II
Datenblatt
987Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 70 Amp
Datenblatt
8Auf Lager
100erwartet ab 10.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT ISOTOP-4 N-Channel 1 Channel 600 V 70 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 266 nC - 65 C + 150 C 600 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
Datenblatt
1 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Datenblatt
129Auf Lager
1 000erwartet ab 20.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
Datenblatt
111Auf Lager
1 000erwartet ab 29.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 30 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
Datenblatt
622Auf Lager
1 000erwartet ab 07.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
Datenblatt
375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
Datenblatt
607Auf Lager
1 000erwartet ab 02.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
Datenblatt
913Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
Datenblatt
29Auf Lager
1 000erwartet ab 29.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
Datenblatt
547Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Datenblatt
600Auf Lager
1 200erwartet ab 08.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Datenblatt
263Auf Lager
600erwartet ab 13.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Datenblatt
42Auf Lager
600erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 60 Amp
Datenblatt
456Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Datenblatt
1 996Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
Datenblatt
421Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 65V 33A MDMESH
Datenblatt
31Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 83 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube