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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.57 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RA1C030LDT5CL

Herst.- Nr.:

RA1C030LDT5CL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Datenblatt:

RA1C030LDT5CL Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,358	€ 3,58
	€ 0,23	€ 23,00
	€ 0,174	€ 87,00
	€ 0,14	€ 140,00
	€ 0,124	€ 620,00
	€ 0,109	€ 1.090,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	€ 0,104	€ 1.560,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WLCSP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 50 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Artikel # Aliases:	RA1C030LD

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Datenblatt

RA1C030LDT5CL Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RA1C030LD WLCSP-MOSFET

Der RA1C030LD ROHM Semiconductor WLCSP-MOSFET ist ein N Kanal-MOSFET, der mit einem niedrigen Einschaltwiderstand und einem Hochleistungspaket ausgestattet wurde. Diese Bauelement verfügt über eine Drain Source-Spannung von 20 V_DSS, Dauersenkstrom von 3 A und einer Verlustleistung von1 W. Der RA1C030LD MOSFET bietet eine Antriebsspannung von 1,8 V, einen Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) von 200 V (MM) bis zu 2 kV (HBM). Dieser MOSFET eignet sich für Schaltkreise, einzelne Batterie-Applikationen und mobile Applikationen. Der RA1C030LD MOSFET ist ein blei- und halogenfreies, RoHS-konformes Bauelement.