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UCC21737QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21737QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21737QDWRQ1
Price: 5.04 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21737QDWRQ1

Herst.- Nr.:

UCC21737QDWRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 10-A isol ated single-channel

Datenblatt:

UCC21737QDWRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,04	€ 5,04
	€ 3,87	€ 38,70
	€ 3,57	€ 89,25
	€ 3,25	€ 325,00
	€ 3,10	€ 775,00
	€ 3,00	€ 1 500,00
	€ 2,92	€ 2 920,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 2,92	€ 5 840,00
	€ 2,86	€ 11 440,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC21737
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verzögerungszeit - Max.:	130 ns
Anstiegszeit:	33 ns
Abfallzeit:	27 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	33 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC
Typ:	Half-Bridge

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Datenblatt

UCC21737QDWRQ1 Datenblatt

PCN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21737-Q1 Einkanal-Gate-Treiber

Der Texas Instruments UCC21737-Q1 Einkanal-Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Gate-Treiber, der für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 2.121 V DC mit erweiterten Schutzfunktionen, erstklassiger dynamischer Leistung und Robustheit ausgelegt ist. Das Bauteil verfügt über einen Quellen- und Senken-Spitzenstrom von bis zu ±10 A.