Siliziumkarbid(SiC)-Bauteile

IXYS Siliziumkarbid(SiC)-Bauteile eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen eine Verbesserung des Wirkungsgrads, der Zuverlässigkeit und des Wärmemanagements erforderlich ist. IXYS/Littelfuse konzentriert sich auf die Entwicklung von Siliziumkarbid-Halbleiterbauteilen mit der höchsten verfügbaren Zuverlässigkeit.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Littelfuse SiC Schottky Dioden Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 105 A 1.2 kV 1.6 V 1.15 kA 140 uA - 40 C + 150 C Tube
Littelfuse SiC Schottky Dioden Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 44 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube