BD2320EFJ-LAE2

ROHM Semiconductor
755-BD2320EFJ-LAE2
BD2320EFJ-LAE2

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 3.5A 100 V VB HIGH AND

Lebenszyklus:
NRND:
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Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 2,18 € 2,18
€ 1,63 € 16,30
€ 1,49 € 37,25
€ 1,33 € 133,00
€ 1,26 € 315,00
€ 1,22 € 610,00
€ 1,19 € 1 190,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
€ 1,14 € 2 850,00
5 000 Kostenvoranschlag
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
HTSOP-8
2 Driver
2 Output
4.5 A
7.5 V
14.5 V
Non-Inverting
8 ns
6 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Entwicklungs-Kit: REF66009
Eingangsspannung – Max: 14.5 V
Eingangsspannung – Min: 7.5 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 50 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 50 ns
Betriebsversorgungsstrom: 160 uA
Ausgangsspannung: 7.5 V to 14.5 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 27 ns
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: BD2320EFJ-LA
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

BD2320EFJ-LA High-Side- und Low-Side-Treiber

Der ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA High-Side- und Low-Side-Hochfrequenztreiber ist ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer maximalen Spannung von 100 V, der einen externen n-Kanal-FET mit der Bootstrap-Methode ansteuern kann. Der BD2320EFJ-LA von ROHM Semiconductor enthält eine 100-V-Bootstrap-Diode und eine unabhängige Eingangssteuerung für die High- und Low-Side. Für die Schnittstellenspannung sind 3,3 V und 5,0 V verfügbar Die Unterspannungssperrschaltungen sind in der High-Side und Low-Side integriert.