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STP80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STP80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N1K1K6
Price: 2.05 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80N1K1K6

Herst.- Nr.:

STP80N1K1K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STP80N1K1K6 Datenblatt (PDF)

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	€ 2,05	€ 2,05
	€ 1,32	€ 13,20
	€ 0,903	€ 90,30
	€ 0,719	€ 359,50
	€ 0,674	€ 674,00
	€ 0,612	€ 1 224,00
	€ 0,598	€ 2 990,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STP80N1K1K6 Datenblatt (PDF)

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ECCN:: EAR99

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh K6-Technologie und basiert auf 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie. Der STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand auf der Fläche und Gate-Ladung. Das Bauelement ist ideal für leistungsstarke Dichte und effiziente Applikationen.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.