STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu STMicroelectronics STP80N1K1K6

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 2 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh K6-Technologie und basiert auf 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie. Der STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand auf der Fläche und Gate-Ladung. Das Bauelement ist ideal für leistungsstarke Dichte und effiziente Applikationen.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

Auf Lager: 1 055

Lagerbestand:
1 055 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 2,19 € 2,19
€ 1,08 € 10,80
€ 0,963 € 96,30
€ 0,77 € 385,00
€ 0,731 € 731,00
€ 0,703 € 1.406,00
€ 0,666 € 3.330,00

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.