STGWA30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
2.02 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 57 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,100 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

Der STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT ist mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt. Der STGWA30M65DF2AG von STMicroelectronics bietet eine optimale Systemleistung und einen optimalen Wirkungsgrad für Wechselrichter mit geringem Verlust und unerlässlichem Kurzschluss-Funktionsumfang. Das Bauteil ist AEC-Q101-qualifiziert und verfügt über eine maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C, eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 6 μs, eine niedrige VCE(sat) von 1,7 V bei 30 A und eine enge Parameterverteilung. Darüber hinaus enthält das Bauteil eine sanfte, schnelle antiparallele Freilaufdiode und einen niedrigen thermischen Widerstand und ist in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung verfügbar.

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€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

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