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AIKQ200N75CP2XKSA1

Name: Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIKQ200N75CP2XKS
Price: 12.32 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-AIKQ200N75CP2XKS

Herst.- Nr.:

AIKQ200N75CP2XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs DISCRETE SWITCHES

Datenblatt:

AIKQ200N75CP2XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 8,53	€ 85,30
	€ 7,22	€ 722,00
	€ 6,81	€ 3.268,80

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	750 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.3 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	200 A
Pd - Verlustleistung:	1.071 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	AIKQ200N75CP2 SP005416550

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AIKQ200N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT

Der Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT ist in einem TO247PLUS-Gehäuse untergebracht und für Hauptwechselrichtersysteme ausgelegt. Die 750-V-EDT2-Spitzentechnologie verbessert die Energieeffizienz für Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen erheblich. Dadurch werden Batteriespannungen von bis zu 470 V und ein sicheres schnelles Schalten durch erhöhte Überspannungsmargen ermöglicht. Dieses TO-247PLUS-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke erfüllt die Anforderungen von Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen von bis zu 470 V Vdc. Als weit verbreitetes Gehäuse im diskreten Wechselrichtersystem-Design bietet dieses Gehäuse eine hohe Kompatibilität, um ältere Bauteile in bestehenden Wechselrichterdesigns zu ersetzen.