FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT-Modul

Das Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT-Modul ist ein doppelt isoliertes 3,3 kV, 450 A Gate-Bipolartransistor-Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT3 und einer Emitter-gesteuerten Diode. Die hochintegrierten XHP IGBT-Module sind für einen Hochleistungsbetrieb ausgelegt und decken den vollständigen Spannungsbereich von 3,3 kV bis 6,5 kV der IGBT-Chips ab. Mit den gleichen kompakten Abmessungen von 140 mm x 100 mm x 40 mm ermöglichen diese IGBT-Module ein skalierbares Design mit erstklassiger Zuverlässigkeit und hoher Leistungsdichte. Das FF450R33T3E3B5 IGBT-Modul verfügt über eine verbesserte Isolierung von 10,4 kV.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 3300 V, 450 A dual IGBT module
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module XHP HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray