AgileSwitch® Phasenstrecken-SiC-MOSFET-Leistungsmodule

Microsemi/Microchip AgileSwitch® Phasenstrecken-SiC-MOSFET-Leistungsmodule (Siliziumkarbid, SiC) sind mit SiC-MOSFETs und SiC-Dioden ausgestattet und kombinieren die Vorteile beider Bauteile. Diese Leistungsmodule haben ein SP6LI-Gehäuse mit extrem niedriger Induktivität und einer maximalen Streuinduktivität von 3 nH. Die SP6LI Leistungsmodule werden in 1200-V- und 1700-V-Varianten mit einer Gehäusetemperatur (TC) von +80 °C angeboten. Das SP6LI-Gehäuse bietet eine höhere Leistungsdichte sowie einen kompakten Formfaktor und ermöglicht eine geringere Anzahl parallelgeschalteter Module, um vollständige Systeme zu erreichen, damit Designer ihre Geräte weiter verkleinern können.

Ergebnisse: 8
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vr - Sperrspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C