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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Datenblatt
14 108Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 25 A 8 mOhms, 2.6 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 52 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Datenblatt
8 409Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 30 A 8 mOhms, 1.8 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 87 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel