Verlustarme Duopack-IGBTs

Infineon Technologies Verlustarme Duopack-IGBTs bieten ein feuchtigkeitsbeständiges Design mit Trenchstop™- und Fieldstop™-Technologie. Die verlustarmen Duopack-IGBTs verfügen über eine sehr sanfte und schnelle antiparallele Freilaufdiode, einen kurzen Nachlaufstrom und eine sehr niedrige VCEsat.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
7 821Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
129Auf Lager
720Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
220Auf Lager
720Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
2 400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube