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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Verpackung/Gehäuse Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 600 A dual IGBT module 24Auf Lager
8erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 800 A dual IGBT module 30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 800 A dual IGBT module 28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module
32erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module
32erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray