NGD4300 4 A-Dual-MOSFET-Gate-Treiber

Nexperia NGD4300 4 A Dual-MOSFET-Gate-Treiber wurden entwickelt, um High- und Low-Side-N-Kanal-MOSFETs in einer synchronen Buck- oder Halbbrücken-Konfiguration anzusteuern. Der potentialfreie High-Side-Treiber nutzt Schienenspannungen bis zu 120 V und verwendet eine Bootstrap-Versorgung mit einer integrierten Diode. Die Low-Side- und High-Side-Ausgangstreiber verfügen über eine unabhängige Unterspannungssperre (UVLO), die den Ausgangstreiber deaktiviert, wenn die Treiberversorgung unter ihrem Schwellenwert liegt.