NTMC083NP10M5L

onsemi
863-NTMC083NP10M5L
NTMC083NP10M5L

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel, P-Channel
2 Channel
100 V
4.5 A, 3.6 A
83 mOhms, 131 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V, 4 V
3 nC, 8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: NTMC083NP10M5L
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTMC083NP10M5L n- und p-Dualkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMC083NP10M5L n- und p-Dual-Kanal-Leistungs-MOSFET ist mit einer niedrigen Gate-Ladung (Qg) und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-Source-Widerstand (RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Dieses Bauteil ist mit einem kompakten Standard-Footprint von 5 mm x 6 mm ausgelegt und ist nicht ESD-geschützt. Der NTMC083NP10M5L Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Elektrowerkzeugen, batteriebetriebenen Staubsaugern, unbemannten Luftfahrzeugen (UAV)/Drohnen, Materialtransport, Motorantrieb und Heimautomatisierung.