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SCT4018KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KW7TL
Price: 25.41 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4018KW7TL

Herst.- Nr.:

SCT4018KW7TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT4018KW7TL Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 25,41	€ 25,41
	€ 22,58	€ 225,80
	€ 19,75	€ 1 975,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 18,03	€ 18 030,00
2 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	75 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	267 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	22 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Artikel # Aliases:	SCT4018KW7

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der SCT4018KW7 ermöglicht eine einfache Ansteuerung und eine einfache Parallelschaltung. Das Bauelement verfügt außerdem über eine bleifreie Leitungsbeschichtung und ist RoHs-konform. Der SCT4018KW7 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor eignet sich für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung, Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler und Motorantriebe.