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NVHL045N065SC1

Name: onsemi NVHL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL045N065SC1
Price: 17 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL045N065SC1

Herst.- Nr.:

NVHL045N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Datenblatt:

NVHL045N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	66 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	32 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	105 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	291 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	NVHL045N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

NVHL045N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVHL045N065SC1 Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs NVHL045N065SC1 von onsemi verfügen über die EliteSic-Technologie und liefern hervorragende Schaltleistung. Die MOSFETs NVHL045N065SC1 von onsemi bieten eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs. Durch den geringen On-Widerstand und die kompakte Chipgröße der MOSFETs wird eine niedrige Kapazität erreicht, was zu hoher Effizienz, schneller Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter elektromagnetischer Störung (EMI) und einer kompakteren Systemgröße beiträgt. Diese MOSFETs setzen fortschrittliche Technologie für eine optimierte Leistung in elektronischen Anwendungen ein.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).