Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SIR680ADP-T1-RE3

Name: Vishay SIR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR680ADP-T1-RE3
Price: 2.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR680ADP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR680ADP-T1-RE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SIR680ADP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SIR680ADP-T1-RE3

Auf Lager: 6 662

Lagerbestand:: 6 662 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,69	€ 2,69
	€ 1,75	€ 17,50
	€ 1,21	€ 121,00
	€ 1,01	€ 505,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,86	€ 2 580,00
	€ 0,842	€ 7 578,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	125 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.88 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC, 55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns, 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	68 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns, 15 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	N - Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns, 19 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SIR680ADP-T1-RE3 Datenblatt

Application Notes

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR680ADP n-Kanal-MOSFET (D-S)

Der Vishay SiR680ADP n-Kanal-MOSFET (D-S) ist ein TrenchFET^® Gen IV Leistungs-MOSFET mit niedriger R_DS-zu-Q_g-Gütezahl (FOM). Dieser MOSFET ist für die niedrigste R_DS-zu-Q_oss-FOM abgestimmt und 100 % R_g- und UIS-getestet. Der SiR680ADP MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Dieser MOSFET arbeitet bei einer Drain-Quellenspannung von 80 V, einer Gate-Quellenspannung von ±20 V und einem Impuls-Drain-Strom von 125 A. Der SiR680ADP MOSFET wird mit dem PowerPak-SO-8-Gehäuse geliefert. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in primärseitigen Synchrongleichrichtungs-Schaltern, DC/DC-Wandlern, O-Ring, Netzteilen und Motorantriebssteuerung.

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.