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Menge RoHS
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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386Auf Lager
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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695Auf Lager
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1 065Auf Lager
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
102Auf Lager
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datenblatt
182Auf Lager
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
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939Auf Lager
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
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88Auf Lager
1 350erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
24Auf Lager
450erwartet ab 20.05.2026
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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24Auf Lager
3 150Auf Bestellung
Min.: 1
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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1 188Auf Bestellung
Min.: 1
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ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
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