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FGB5065G2-F085

Name: onsemi FGB5065G2-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FGB5065G2-F085
Price: 6.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGB5065G2-F085

Herst.- Nr.:

FGB5065G2-F085

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 (HV/HE)

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FGB5065G2-F085 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	685 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.56 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	78 A
Pd - Verlustleistung:	300 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGB5065G2-F085
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

FGB5065G2-F085 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-12-19 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT

Der onsemi FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE isolierte Gate-Bipolartransistor (IGBT) ist ein 650-V-n-Kanal-Zündbauteil für PTC-Heizgeräte und Hochstrom-Systemapplikationen. Der AEC-Q101-qualifizierte FGB5065G2-F085 wird in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben und bietet eine SCIS-Energie von 500 mJ bei +25°C. Zu den Applikationen gehören Hochstromsysteme, PTC-Heizungsschaltungen, Fahrzeuganwendungen und andere robuste Applikationen.