RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
LDMOS FET
Reel
Cut Tape
Marke: STMicroelectronics
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Produkt-Typ: RF MOSFETs
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: RF Transistors
Typ: RF Power MOSFET
Gewicht pro Stück: 2,400 g
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Datenblatt

Konformitätscodes
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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RF3L05150CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor

Der STMicroelectronics RF3L05150CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor ist ein LDMOS-FET mit 150 W und 28/32 V, der für Breitband-Kommunikations- und ISM-Applikationen ausgelegt ist. Der RF3L05150CB4 LDMOS-Transistor von STM ist für Applikationen mit Frequenzen von HF bis 1 GHz ausgelegt. Der RF3L05150CB4 kann in Klasse AB, B oder C für alle typischen Modulationsformate verwendet werden.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

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