SIRA20DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:
ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
580 uOhms
- 12 V, 16 V
1 V
200 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: SIR
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 506,600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiRA20DP 25 V n-Kanal-MOSFET

Der 25V n-Kanal-MOSFET SiRA20DP von Vishay verfügt über eine optimierte Gesamtgatter-Ladung (Qg), Gatter-Drain-Ladung (Qgd) und ein Qgd/Gatter-Quellen-Ladungsverhältnis (Qgs), das den Schaltverlust reduziert. Das TrenchFET® Gen IV Gerät SiRA20DP ist zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Typische Applikationen sind die synchrone Gleichrichtung, hohe DC-DC-Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler, OR-ing, Lastschalten und Batteriemanagement.
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Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 2,59 € 2,59
€ 1,68 € 16,80
€ 1,15 € 115,00
€ 0,937 € 468,50
€ 0,91 € 910,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,91 € 2.730,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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