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SIRA20DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRA20DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA20DP-T1-RE3
Price: 1.82 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIRA20DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIRA20DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SIRA20DP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,82	€ 1,82
	€ 1,17	€ 11,70
	€ 0,789	€ 78,90
	€ 0,754	€ 377,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,754	€ 2 262,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	580 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	200 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SIRA20DP-T1-RE3 Datenblatt

Application Notes

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiRA20DP 25 V n-Kanal-MOSFET

Der 25V n-Kanal-MOSFET SiRA20DP von Vishay verfügt über eine optimierte Gesamtgatter-Ladung (Q_g), Gatter-Drain-Ladung (Q_gd) und ein Q_gd/Gatter-Quellen-Ladungsverhältnis (Q_gs), das den Schaltverlust reduziert. Das TrenchFET® Gen IV Gerät SiRA20DP ist zu 100 % R_g- und UIS-getestet. Typische Applikationen sind die synchrone Gleichrichtung, hohe DC-DC-Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler, OR-ing, Lastschalten und Batteriemanagement.
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Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.