PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

Ergebnisse: 22
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Datenblatt
4 698Auf Lager
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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5 000Auf Lager
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Datenblatt
4 899Auf Lager
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Datenblatt
5 000Auf Lager
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: 5 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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4 986Auf Lager
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 21.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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2 980Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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2 996Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3 000Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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2 996Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2 585Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 31.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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2 955Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3 000Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16.7 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3 000Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3 000Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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2 995Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 26.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Min.: 5 000
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 36 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 152 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 29.6 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel