STDRIVEG212 220 V Halbbrücken-Gate-Treiber

Der 220 V High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG212 von STMicroelectronics ist für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert. Der High-Side-Treiberabschnitt ist für eine Spannungsschiene von bis zu 220 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrapdiode versorgt werden. Dank seiner Hochstromfähigkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen mit exzellenter Laufzeitanpassung und integrierten LDOs ist der STDRIVEG212 für die Ansteuerung von High-Speed-GaN optimiert.

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STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 613Auf Lager
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STMicroelectronics STDRIVEG212Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches Nicht auf Lager
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