CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung VGS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
111Auf Lager
240erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
138Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
137Auf Lager
240erwartet ab 17.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
277Auf Lager
2 000erwartet ab 25.06.2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
386Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
1 683Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 60
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
427Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
1 211Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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833Auf Lager
1 000erwartet ab 26.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
6 789Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1 280erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
742erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 342 A 13.6 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 261 nC - 55 C + 175 C 1.364 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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1 731Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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1 968erwartet ab 18.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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750erwartet ab 18.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
480erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
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1 512Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
240erwartet ab 13.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC