π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 3.5 A 2.45 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 4.5 A 1.75 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.67 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 5.5 A 1.35 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 1.4 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5.5 A 1.48 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 6.5 A 1.2 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7 A 1.25 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1.22 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7.5 A 1.07 Ohms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 9 A 770 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 830 mOhms 45 W MOSVII Tube