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SIS890ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS890ADN-T1-GE3
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIS890ADN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIS890ADN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SIS890ADN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,15	€ 1,15
	€ 0,728	€ 7,28
	€ 0,482	€ 48,20
	€ 0,376	€ 188,00
	€ 0,342	€ 342,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,302	€ 906,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	39 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	SIS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET bietet eine Drain-Quellenspannung von 100 V_DC, einen gepulsten Drainstrom von 40 A und eine Einzelkonfiguration. Der SiS890ADN MOSFET verfügt über eine niedrige R_DS x Q_g-Gütezahl (FOM) zusammen mit einer TrenchFET^®-GEn-IV-Leistung. Dieser MOSFET ist zu 100 % R_g- und UIS-getestet. Der SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und den Schaltungsschutz.

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.