SGT120R65AL 650 V E-Modus-PowerGaN-Transistor

Der 650V E-Mode PowerGaN-Transistor SGT120R65AL von STMicroelectronics bietet eine maximale Strombelastbarkeit von 15 A in Kombination mit einer bewährten Gehäusetechnologie und einem Kelvin-Source-Anschluss für eine optimale Gate-Ansteuerung. Das daraus resultierende G-HEMT-Bauteil bietet extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, der eine hohe Leistungsdichte und einen unschlagbaren Wirkungsgrad ermöglicht. Der SGT120R65AL ist in einem kompakten, oberflächenmontierbaren PowerFLAT 5×6 HV Industriestandard-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören PC-Adapter, USB-Wandladegeräte und kabelloses Laden.

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