RFxDNZ extrem schnelle Freilaufdioden

Die RFxDNZ superschnellen Freilaufdioden von ROHM Semiconductor sind Dual-Kathoden-Dioden mit niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust. Diese Freilaufdioden umfassen eine planare Silizium-Epitaxial-Bauweise. Die RFxDNZ Freilaufdioden werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert. Diese schnellen Freilaufdioden arbeiten bei einer Sperrschichttemperatur von 150 °C und einem Sperrstrom von 10 μA. Die RFxDNZ extrem schnellen Freilaufdioden sind ideal für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Vr - Sperrspannung If - Durchlassstrom Typ Konfiguration Vf - Durchlassspannung Max. Spitzenstrom Ir - Sperrstrom Rückstellungszeit Maximale Betriebstemperatur Verpackung
ROHM Semiconductor Gleichrichter Super Fast Recovery Diode 5 721Auf Lager
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Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter Super Fast Recovery Diode 1 015Auf Lager
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter Super Fast Recovery Diode 1 092Auf Lager
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter Super Fast Recovery Diode 976Auf Lager
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter Super Fast Recovery Diode Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Mult.: 1 000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube