FDMF8811

onsemi
512-FDMF8811
FDMF8811

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber HI PERFORMANCE 100V SPS MODULE

Lebenszyklus:
NRND:
Nicht empfohlen für neue Designs.
ECAD Model:
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Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 6,95 € 6,95
€ 5,11 € 51,10
€ 4,76 € 119,00
€ 4,18 € 418,00
€ 2,89 € 722,50
€ 2,86 € 1.430,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 2,86 € 8.580,00
6 000 Kostenvoranschlag
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: Gate-Treiber
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
Full-Bridge
SMD/SMT
PQFN-36
2 Driver
2 Output
20 A
8 V
14 V
23.4 ns
17.7 ns
- 40 C
+ 125 C
FDMF8811
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 20 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 20 ns
Betriebsversorgungsstrom: 6.8 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 145,650 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FDMF8811 Brücken-Leistungsstufenmodul

Das FDMF8811 Brücken-Leistungsstufen-Modul (BPS) von onsemi ist ein vollständig optimiertes Modul für Hochstrom-DC-DC-Schaltapplikationen. Dieses kompakte 100V-BPS-Modul integriert einen Treiber-IC, zwei Leistungs-MOSFETs und eine Bootstrap-Diode. Der Treiber-IC dieses Moduls erhöht die Leistungsfähigkeit mit geringer Verzögerungszeit und angepassten Pulsweitenmodulations-Eingangslaufzeitverzögerungen. Das FDMF8811 nutzt die leistungsstarke PowerTrench™ MOSFET-Technologie, die das Schaltüberschwingen in Wandler-Applikationen reduziert. Dieses BPS-Modul ist in einem PQFN-Gehäuse von 6 mm x 7 mm erhältlich. Das PQFN-Gehäuse bietet einen niedrigen Gehäusewiderstand zur Verbesserung der Stromverarbeitungskapazität und Leistungsfähigkeit des Bauteils.
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