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NXV08H350XT1

Name: onsemi NXV08H350XT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H350XT1
Price: 72.47 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXV08H350XT1

Herst.- Nr.:

NXV08H350XT1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module APM17-MDC MV7 80V ALN

Datenblatt:

NXV08H350XT1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-17
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	757 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NXV08H350XT1
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Half-Bridge
Abfallzeit:	196 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	298 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Automotive Power MOSFET Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	476 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	298 ns

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Datenblatt

NXV08H350XT1 Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H350XT1 MOSFET-Modul

Das onsemi NXV08H350XT1 MOSFET-Modul ist ein Dual-Halbbrücken-Automotive-Leistungs-MOSFET-Modul von 80 V mit einer Temperaturmessung für 48-V-Mild-Hybrid-Fahrzeuganwendungen. Dieses Zweiphasen-Leistungs-MOSFET-Modul ist mit einem Direct-Bondkupfer-Substrat (DBC) für einen niedrigen Rthjc elektrisch isoliert. Das NXV08H350XT1 Modul ist kompakt und für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Moduls ausgelegt und das kleine, effiziente und zuverlässige Systemdesign reduziert den Kraftstoffverbrauch und die CO₂-Emissionen. Die Komponenten im Modul sind AEC-Q101- (MOSFET) und AEC-Q200-qualifiziert (passive Bauelemente). Das NXV08H350XT1 Leistungs-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in 48-V-Wechselrichter- und 48-V-Traktionsapplikationen.