Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NXV08H350XT1

Name: onsemi NXV08H350XT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H350XT1
Price: 72.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXV08H350XT1

Herst.- Nr.:

NXV08H350XT1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module APM17-MDC MV7 80V ALN

Datenblatt:

NXV08H350XT1 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NXV08H350XT1

Auf Lager: 30

Lagerbestand:: 30 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 30 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 72,72	€ 72,72
	€ 56,32	€ 563,20
	€ 55,78	€ 6.693,60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-17
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	757 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NXV08H350XT1
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Half-Bridge
Abfallzeit:	196 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	298 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Automotive Power MOSFET Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	476 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	298 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXV08H350XT1 Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NXV08H350XT1 MOSFET-Modul

Das onsemi NXV08H350XT1 MOSFET-Modul ist ein Dual-Halbbrücken-Automotive-Leistungs-MOSFET-Modul von 80 V mit einer Temperaturmessung für 48-V-Mild-Hybrid-Fahrzeuganwendungen. Dieses Zweiphasen-Leistungs-MOSFET-Modul ist mit einem Direct-Bondkupfer-Substrat (DBC) für einen niedrigen Rthjc elektrisch isoliert. Das NXV08H350XT1 Modul ist kompakt und für einen niedrigen Gesamtwiderstand des Moduls ausgelegt und das kleine, effiziente und zuverlässige Systemdesign reduziert den Kraftstoffverbrauch und die CO₂-Emissionen. Die Komponenten im Modul sind AEC-Q101- (MOSFET) und AEC-Q200-qualifiziert (passive Bauelemente). Das NXV08H350XT1 Leistungs-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in 48-V-Wechselrichter- und 48-V-Traktionsapplikationen.