TC6321T-V/9U

Microchip Technology
579-TC6321T-V/9U
TC6321T-V/9U

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR

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Microchip
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VDFN-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
200 V
2 A
7 Ohms, 8 Ohms
1 V, 2.4 V
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
Reel
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 15 ns, 15 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns, 15 ns
Serie: TC6321
Verpackung ab Werk: 3300
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 20 ns, 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns, 10 ns
Gewicht pro Stück: 145 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TC6321 n- und p-Kanal-MOSFET-Paar

Das TC6321 n- und p-Kanal-MOSFET-Paar von Microchip ist mit Gate-to-Source-Widerständen und Gate-to-Source-Zener-Dioden-Klemmen integriert. Dieses MOSFET-Paar wurde für Schalt- und Verstärkungs-Applikationen entwickelt, bei denen Hochspannung, Hochstromantrieb und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind. Dieser TC6321 paart mit dem MD12xx, MD17xx oder MD18xx Ultraschall-MOSFET-Treiber zur Erzielung eines Hochgeschwindigkeit- und Hochspannungs- Impulsgeber- Schaltkreises. Der TC6321 MOSFET arbeitet bei einer Temperatur von -40 °C bis 150 °C und VDS reicht von -200 V bis 200 V. Das TC6321 MOSFET-Paar verwendet eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und den Silizium-Gate-Herstellungsprozess. Aus dieser Kombination resultieren Geräte mit der Belastbarkeit von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperatur-Koeffizienten von MOS-Geräten.
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