NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVBYST0D6N08X n-Kanal-Leistungs-MOSFET von 80 V bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool). Dieser MOSFET bietet einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste sowie einen niedrigen QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Das Bauteil NVBYST0D6N08X von onsemi ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikation für diesen MOSFET gehören Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Motorantriebe und Fahrzeugsysteme mit 48 V.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m?
Datenblatt
980Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NVBYST0D8N08XTXG
onsemi MOSFETs PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1

PowerTrench