IXFxN60X HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der X3-Klasse

IXYS IXFxN60X HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der X3-Klasse werden mit einem Ladungskompensationsprinzip und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt, die eine erstklassige Gütezahl (Einschaltwiderstandszeiten, Gate-Ladung) bietet. Diese Eigenschaften führen zu niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten. Mit einer niedrigen Sperrverzögerungsladung und -zeit sind die Body-Dioden in der Lage, alle verbleibenden Energien während der Hochgeschwindigkeitsschaltung zu entfernen, um Geräteausfälle zu vermeiden und einen hohen Wirkungsgrad zu erzielen. Die IXFxN60X HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der X3-Klasse mit 600 V sind Avalanche-fähig, verfügen über eine hervorragende dv/dt-Leistungsfähigkeit und sind robust gegen Gerätefehler, die durch Spannungsspitzen und das versehentliche Einschalten von parasitären bipolaren Transistoren verursacht werden. Diese robusten Bauteile von IXYS erfordern weniger Snubber und können sowohl in harten als auch weichschaltenden Leistungswandlern verwendet werden.