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NVBG160N120SC1

Name: onsemi NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG160N120SC1
Price: 11.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG160N120SC1

Herst.- Nr.:

NVBG160N120SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

Datenblatt:

NVBG160N120SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 11,20	€ 11,20
	€ 7,79	€ 77,90
	€ 6,27	€ 627,00
	€ 5,85	€ 2.925,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	€ 5,85	€ 4.680,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	19.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	224 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	33.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.5 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	NVBG160N120SC1
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NVBG160N120SC1 Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVBG160N120SC1 160-mΩ-SiC-MOSFET

Der 160-mΩ-SiC-MOSFET NVBG160N120SC1 von onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 1.200 V und einen maximalen Drainstrom (I_D) von 19,5 A. Der MOSFET NVBG160N120SC1 bietet einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chipgröße, die eine geringe Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Diese MOSFET bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, eine geringere elektromoagnetische Störung (EMI) und eine reduzierte Systemgröße. Der NVBG160N120SC1 MOSFET von onsemi ist nach den AEC-Q101-Standards qualifiziert für Fahrzeuganwendungen wie z. B. Onboard-Ladegeräte für Fahrzeuge und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EVs) / Hybrid-Fahrzeuge (HEVs).

M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.