CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Der CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET von Texas Instruments ist ein 20 V p-Kanal MOSFET, der zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungs-Lastmanagement-Applikationen ausgelegt ist. Der CSD25402Q3A von Texas Instruments wird in einem 3,3 mm × 3,3 mm großen SON-Gehäuse geliefert, das für seine Größe eine hervorragende thermische Leistung bietet. Typische Applikationen sind DC/DC-Wandler, Batteriemanagement, Lastschalter und Batterieschutz.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Texas Instruments MOSFETs P-CH Pwr MOSFET
Datenblatt
13 498Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs #NAME?
Datenblatt
6 445Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Si SMD/SMT SON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 300 mOhms - 12 V, 12 V 1.15 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel