40V TrenchT4 Leistungs-MOSFETs

Die 40V TrenchT4 Leistungs-MOSFETs von IXYS sind einfach zu montieren und verbessern die n-Kanal-MOSFETs, die in internationalen Standardgehäusen untergebracht sind. Die TrenchT4 haben eine Betriebstemperatur von 175°C, hohe Stromverarbeitungskapazität, Lawinen-Einstufung und einen niedrigen RDS(on). Typische Anwendungen umfassen synchrone Abwärtswandler, Hochstrom-Schaltnetzteile, batteriebetriebene Elektromotoren und vieles mehr.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
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Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
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Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
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Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
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Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube