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BSC010NE2LS

Name: Infineon BSC010NE2LS
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC010NE2LS
Price: 1.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSC010NE2LS

Herst.- Nr.:

BSC010NE2LS

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

BSC010NE2LS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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€ -,--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,27	€ 1,27
	€ 0,894	€ 8,94
	€ 0,743	€ 74,30
	€ 0,702	€ 351,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,597	€ 2 985,00
	€ 0,503	€ 5 030,00
25 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BSC010NE2LSATMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,46

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	85 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.7 ns
Artikel # Aliases:	BSC1NE2LSXT SP000776124 BSC010NE2LSATMA1
Gewicht pro Stück:	110 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

BSC010NE2LS MOSFET

Infineon Technologies BSC010NE2LS MOSFET is a DC-DC Point-of-Load (POL) Topology buck converter which is the most basic SMPS topology. It is widely used throughout the industry to convert a higher input voltage into a lower output voltage. The buck converter (voltage step-down converter) is a non isolated converter, hence galvanic isolation between input and output is not given.

Schaltnetzteile (SMPS)

Infineon Technologies bietet eine breite Palette von kostengünstigen Produkten für Verbraucherschaltnetzteile (SMPS). Das beinhaltet Hochspannungs-MOSFETs, Steuerungs-ICs und Siliziumkarbid-Dioden für PFC- und PWM-Stufen sowie Niederspannungs-MOSFETs für die Synchrongleichrichtung. Mit diesen Produkten hält Infineon nicht nur mit dem kontinuierlich ansteigenden Energieverbrauch Schritt, sondern erfüllt zudem die wichtige Forderung nach Energieeinsparungen. Die neue CoolMOS™ 600V C6-Familie ist besonders vielseitig und kombiniert Effizienz und einen günstigen Preis, genau wie die SiC-Dioden der 3. Generation. Zur Synchrongleichrichtung bietet die OptiMOS™-Serie einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Kapazitäten. Die neuen Steuer-ICs von Infineon unterstützen Topologien wie PFC, quasi-resonante Sperrwandler und LLC.
Weitere Informationen

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.