STGWA75H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
115 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,100 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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STGWA75H65DFB2 HB2-IGBT

Der STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2-IGBT stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur dar. Die HB2-Baureihe optimiert die Durchleitung mit einem besseren VCE(sat) bei niedrigen Stromwerten und reduzierter Schaltenergie. Der STGWA75H65DFB2 HB2-IGBT verfügt über eine niedrige VCE(sat) von 1,55 V (typisch) bei einem IC von 75 A.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

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