NTJD5121N/NVJD5121N Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N n-Zweikanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on), einen Gate-Schwellenwert und eine Eingangskapazität. Die NTJD5121N/NVJD5121N MOSFETs von onsemi verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 60 V und einen maximalen Dauersenkenstrom von 295 A. Die NTJD5121N/NVJD5121N sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und eignen sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
onsemi MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA 192 676Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 19 798Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA 26 340Auf Lager
12 000erwartet ab 18.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 30 171Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel