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UCC21756QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21756QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21756QDWRQ1
Price: 6.6 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21756QDWRQ1

Herst.- Nr.:

UCC21756QDWRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive ± 10-A  isolated

Datenblatt:

UCC21756QDWRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 6,60	€ 6,60
	€ 5,10	€ 51,00
	€ 4,73	€ 118,25
	€ 4,32	€ 432,00
	€ 4,12	€ 1 030,00
	€ 4,01	€ 2 005,00
	€ 3,90	€ 3 900,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 3,82	€ 7 640,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC21756
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC
Typ:	Single Channel Gate Driver

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Datenblatt

UCC21756QDWRQ1 Datenblatt

PCN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21756-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber

Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber UCC21756-Q1 von Texas Instruments ist für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 2121 V DC ausgelegt und zeichnet sich durch erweiterte Schutzfunktionen, erstklassige dynamische Leistung und Robustheit aus. Der UCC21756-Q1 verfügt über einen Quellen- und Senken-Spitzenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven SiO_{2-Isolationstechnologie} isoliert, die eine Betriebsspannung bis zu 1,5 kV_RMS, eine Stoßspannungsfestigkeit von 12,8 kV_PK mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von über 40 Jahren sowie eine geringe Bauteil-zu-Bauteil-Verzögerungsabweichung und eine Gleichtaktstörfestigkeit (CMTI) von >150 V/ns bietet.