1200 V SIC-MOSFETs

Die 1200 V SIC-MOSFETs von Microchip Technology bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen internen Gate-Widerstand (ESR), der eine schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht. Die MOSFETs sind einfach anzusteuern und problemlos parallel zu schalten, mit verbesserten thermischen Eigenschaften und geringeren Schaltverlusten.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
56Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
115Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
95Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
120Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
97Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
71Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement