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DMN2992UFA-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2992UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2992UFA-7B
Price: 0.12 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN2992UFA-7B

Herst.- Nr.:

DMN2992UFA-7B

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DMN2992UFA-7B Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,129	€ 0,13
	€ 0,086	€ 0,86
	€ 0,054	€ 5,40
	€ 0,034	€ 17,00
	€ 0,03	€ 30,00
	€ 0,027	€ 67,50
	€ 0,022	€ 110,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,019	€ 190,00
	€ 0,017	€ 340,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	X2-DFN0806-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	520 uA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	990 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	410 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	410 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

DMN2992UFA-7B Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET

Der DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET von Diodes Incorporated ist so konzipiert, dass der Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) minimiert wird. Der MOSFET bietet ein überlegenes Betriebsverhalten und eignet sich daher ideal für hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen. Der DMN2992UFA MOSFET von Diodes Inc. ist in einem X2-DFN0806-3 Gehäuse mit niedrigem Profil und einer Höhe von 0,04 mm erhältlich.